产品信息
SVF10N65T/F/K/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰微电子 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原 胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩 击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动
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